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碳化矽(SiC)是第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、熱導率高等優點，是製作高壓、大功率半導體器件的理想材料。 雖然長出高質量大直徑的SiC單晶極為重要，但是晶片加工則對晶片的表麵質量起決定作用，其中把體塊單晶切割成翹曲度小、厚度均勻、刀縫損失小的晶片非常重要，否則將給後續的磨拋工作帶來極大的困難。由於SiC的莫氏硬度為9.2，僅次於金剛石(其莫氏硬度為10)，加工難度很大。當晶體的直徑達到2英寸時，常規的內圓切割機不能有效地工作，必須采用金剛石線切割技術。
金剛石線切割機的切割原理與弓鋸相仿。高速旋轉並往複回轉的繞絲筒帶動金剛石線做往複運動，金剛石線被二個張緊線輪(彈簧或氣動)所張緊，同時加設二個導向輪以確保切割的精度和麵型。 通過自動控製工作台向金剛石線控製台方向不斷地進給，或是控製金剛石線控製台向工作台方向不斷進給，從而使金剛石線與被切割物件間產生磨削而形成切割。切割過程中，由於金剛石線直徑小，且具有彈性，金剛石切割線在被被切割物件和位於其左右的兩個導向輪之間形成了一個張角，金剛石線呈微弧狀。因此施加到被切割物件上的力聯同金剛石線與被切割物件間的相對運動，才使切割不斷得以進行。
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